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집속이온빔 장치
Dual Beam FIB System

분석장비 상세내역
영문약어 Dual Beam FIB System
장비명(한글) 집속이온빔 장치 
기기코드 KJ313
연구장비표준분류
기기상태  
KJ313.jpg

부서 및 장비담당자

부서 및 장비담당자
지역 광주센터 
주소 (61186)
광주광역시 북구 용봉로 77 전남대학교 내 한국기초과학지원연구원 
보유센터 및 부서 광주센터 분석연구부 
장비담당자 문원진  심남연  
전화   ◀ 전화기 아이콘을 누르시면 전화번호를 볼 수 있습니다.
팩스 062-530-0519 
메일  

Spec 및 활용분야

Spec 및 활용분야
원리 및 특징
    1. 고속으로 가속된 Ga이온을 시료 표면에 충돌시켜 시료를 정밀가공하거나, 충돌시 발생되는 전자 또는 2차 이온 등을 이용하여 시료의 표면을 관찰하는 장비.
    2. 주사전자현미경에서와 같이 전자총에서 가속된 전자를 이용하여 시료의 표면을 관찰하거나 전자가 물질에 충돌할 때 발생하는 특성X-선을 이용하여 물질의 원소분석 활용
구성 및 성능
    ○Electron optics
    - Electron Beam Resolution(SEM or STEM mode)
    - 1.0nm at 30 kV SE resolution or better
    - 2.9nm at 1 kV SE resolution or better
    - 0.8nm at 30 kV STEM resolution or better
    - Ion beam resolution(FIB mode)
    - 5 nm at 30 kV or better
    - Accelerating voltage: 100 V to 30 kV or better
    - Magnification: 30x to 1000Kx or better
    - Schottky thermal field emitter and available unicolor optics.
    - Acceleration voltage: 1.0 to 30 kV or better
    ○3D EDS System
    - Active area : 50mm2 or better
    - Energy resolution : ≤ 123eV, stable energy resolution at Mn
    ○Cryo-FIB fabrication System
활용분야
    ○ 금속, 세라믹, 고분자, 반도체, 생물 등 각종재료의 형상, 표면구조관찰 및 3D 원소분석에 활용
    ○ 다층박막의 단면 시료제작 및 반도체기판의 설계, 회로변경·보수 등 분석지원 고도화에 활용
    ○ 전주기적투과전자현미경 분석시스템의 주요핵심장비로 활용
    ○ TEM sampling of pinpoint area
    ○ TEM sampling of only one specimen

장비 공지사항


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